三星宣布!开始批量生产第五代V

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IT之家7月11日消息 日前,三星电子正式宣告,可能性刚开始英语 大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片,其关键内部是采用“Toggle DDR 4.0”NAND接口。

与前一代产品达到1.4Gbps的峰值相比,后者使存储和RAM之间的传输下行速率 提高了40%。但随着更好的性能,电压从1.8V降至1.2V。

新的V-NAND还具有最快的数据写入下行速率 ,延迟仅为800微秒,这是在写上一代的下行速率 提高了80%,而响应时间读信号已显着降低到80μS(微秒)。

第五代V-NAND芯片的构建与事先的相似,它配备了90层的3D TLC CTF闪存存储单元。它们堆叠成金字塔状内部,上端有微洞眼。那此孔用作通道,尺度仅有几百微米宽,涵盖超过880亿个CTF单元,每个单元存储多达3比特数据,单Die容量达256Gb(32GB)。

三星将更慢扩大其第五代V-NAND生产以满足市场的广泛需求,将应用在如超级计算机、企业服务器和最新的移动应用等高级智能手机方面。